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特点 - 采用化学沉积法制备铜电极。 - 采用磨边工艺磨去芯片边缘。 - 对称全电极,电场更均匀,消除电致应变产生的挠性弯曲振动,提高瓷介电容器的抗电强度。
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♦ 自主开发的氮化铝粉体制备氮化铝生瓷带; ♦ 自主开发的氧化铝生瓷带; ♦ 自主开发的钨金属浆料; ♦ 满足器件、模块和组件的高功率、高密度、小型化和高可靠性的要求。
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特点 - 采用化学沉积法制备铜电极。 - 采用磨边工艺磨去芯片边缘。 - 对称全电极,电场更均匀,消除电致应变产生的挠性弯曲振动,提高瓷介电容器的抗电强度。
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♦ 自主开发的氮化铝粉体制备氮化铝生瓷带; ♦ 自主开发的氧化铝生瓷带; ♦ 自主开发的钨金属浆料; ♦ 满足器件、模块和组件的高功率、高密度、小型化和高可靠性的要求。