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特点 - 温度特性优异 - 低损耗 - 高绝缘电阻 - 高击穿强度 - 全对称满铜电极 - 环氧封装 - 螺钉端子安装

♦ 优良的热传导性 ♦ 可靠的电绝缘性 ♦ 低的介电常数和介质损耗 ♦ 接近于硅(Si)的热膨胀率

♦ 高可靠性 ♦ 耐腐蚀、化学稳定性好 ♦ 高断裂韧性和抗弯强度 ♦ 高耐温能力 ♦ 高载流容量 ♦ 高绝缘电压 ♦ 高热容与热扩散能力 ♦ 与硅相近…

特点 - 采用化学沉积法制备铜电极。 - 采用磨边工艺磨去芯片边缘。 - 对称全电极，电场更均匀，消除电致应变产生的挠性弯曲振动，提高瓷介电容器的抗电强度。

♦ 稳定的产品收缩率 ♦ 打孔精度高 ♦ 氮化铝浆料匹配性好 ♦ 变形量小

♦ 自主开发的氮化铝粉体制备氮化铝生瓷带; ♦ 自主开发的氧化铝生瓷带; ♦ 自主开发的钨金属浆料; ♦ 满足器件、模块和组件的高功率、高密度、小型化和高可靠性的要求。

♦ 氮化硅基板与氮化铝和氧化铝基板相比，具有两倍以上的抗弯强度 ♦ 与氧化铝和ZTA基板相比具有三倍以上的热导率 ♦ 具有高的绝缘性和与Si相匹配的热膨胀系数 ♦ 优异的抗热…

　　氮化铝陶瓷加热器可提供最高500℃的温度，并具有150℃/s的超快升温速率，也具体取决于应用、设计和工艺参数。除了具有出色的热特性，氮化铝陶瓷加热器还具有较高的电隔离性能，与传统金属加热器…