1. 7月21日消息，国家知识产权局信息显示，珠海元记忆电子科技有限公司申请一项名为“金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法及封装算力芯片的方法”的专利，公开号CN120341119A，申请日期为2025年06月。专利摘要显示，该发明涉及一种金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法及封装算力芯片的方法，包括步骤：将人造金刚石粉、硅粉和二氧化硅粉混合烧熔浇注在模具中形成相应尺寸的金刚石陶瓷管壳；在管壳衬底上打通孔；在管壳衬底的通孔内沉积铜及沉积位于衬底底部外侧的焊盘；在管壳衬底内侧交替沉积金属膜层和绝缘膜层形成多层布线基体；在该基体顶层的金属膜层上沉积类金刚石膜形成基体的顶层绝缘层，并在该顶层绝缘层上形成用于焊接芯片的焊盘。