1. 中国科学院上海硅酸盐研究所黄政仁研究员团队近期提出了气相与液相渗硅联用逐次渗硅方法，通过气相熔渗反应形成多孔SiC壳层，避免高碳密度的陶瓷打印体在液相渗硅初期发生快速剧烈反应，同时限制液态硅与固体碳的接触面积，这样不会发生熔渗通道的堵塞，使得后续的液相反应能够缓慢且持续地进行。最终制备的SiC陶瓷密度可达3.12 g·cm-3，硅含量降低至10vol%左右，抗弯强度和弹性模量分别达到了465MPa和426GPa，力学性能与常压固相烧结SiC陶瓷相当，可以极大提高SiC陶瓷环境使用温度。相关研究成果发表在J. Eur. Ceram. Soc.（doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2023.09.059），申请中国发明专利2项，其中1项已授权（ZL202211260158.3）。