1. 近日消息，日本电子零件制造商村田制作所公司已经在泰国建设了一家新工厂，并将于11月开始生产。村田预计将在泰国北部南奔府的工厂投入数十亿日元（10亿日元约合6740万美元），以在2028年达到全面生产。该工厂标志着对微型多层陶瓷电容器（MLCC）未来需求的押注，而MLCC是手机和电动汽车的重要组成部分。村田以40%左右的份额引领全球MLCC市场。这将是村田在泰国首次生产MLCC。一部智能手机可能包含1000个此类电容器。该元件占村田集团销售额的40%以上。村田仍然只在日本生产最先进的MLCC，但它正在中国、菲律宾和其他地方增加其他产品的产量。泰国投资是确保为其全球客户提供稳定供应努力的一部分。
2. 近日，CeramTec 推出新型高性能氮化铝基板 Alunit® AlN HP，与传统基板相比，抗弯强度提高了 40%，并且具有出色的导热性，适用于发电和配电、车辆电气化以及轨道车辆结构中的电源转换器等应用。由于其弯曲强度≥ 450 MPa，即使在极端温度循环下，也能在导电金属化层和陶瓷基板之间实现永久粘合。热膨胀系数为 3.7 - 5.7 ppm/K（最高 300℃），与半导体材料相近。因此，Alunit® AlN HP 提高了电源模块的连续负载能力。此外，Alunit® AIN HP具有170 W/mK 的高导热率以及 20℃时电绝缘和介电强度≥15 kV/mm，可进行覆铜、覆铝金属化，适用于DCB、AMB工艺。Alunit® AlN HP 是高电压和高性能电源模块的绝佳选择，也适用于高功率 LED 和片式电阻器 - 甚至尤其是在更高电流和更小的组件中。
2. 近日，CeramTec 推出新型高性能氮化铝基板 Alunit® AlN HP，与传统基板相比，抗弯强度提高了 40%，并且具有出色的导热性，适用于发电和配电、车辆电气化以及轨道车辆结构中的电源转换器等应用。由于其弯曲强度≥ 450 MPa，即使在极端温度循环下，也能在导电金属化层和陶瓷基板之间实现永久粘合。热膨胀系数为 3.7 - 5.7 ppm/K（最高 300℃），与半导体材料相近。因此，Alunit® AlN HP 提高了电源模块的连续负载能力。此外，Alunit® AIN HP具有170 W/mK 的高导热率以及 20℃时电绝缘和介电强度≥15 kV/mm，可进行覆铜、覆铝金属化，适用于DCB、AMB工艺。Alunit® AlN HP 是高电压和高性能电源模块的绝佳选择，也适用于高功率 LED 和片式电阻器 - 甚至尤其是在更高电流和更小的组件中。
