近日，韩国KCC集团宣布开发出基于氮化铝的高强度高导热陶瓷电路基板，据称，这种命名为“H-AlNDCB”的基板的导热系数是氧化铝DCB板的6倍，除了具有氮化铝陶瓷的高导热性外，还提高了产品强度，具有优异的耐久性。
直接覆铜(DCB)工艺即一种把铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面(单面或双面)上的特殊工艺方法。虽然氧化铝基板成本较低，但是氮化铝基板的导热性能更好，因此适合于高功率应用(高电流/电压)，而高功率应用又需要高水平的散热，产品主要的挑战在于在越来越小的芯片尺寸中处理更高的功率。
氧化铝陶瓷基板直接覆铜是非常成熟的工艺，但AlN直接覆铜由于与Cu的润湿性极差。据介绍，KCC旗下先进材料部门经过4年研发来寻找最佳的混合比，使其兼具高导热和高强度，从而通过快速放热使半导体器件能够长时间高效地工作，该产品在导热性和强度上都有优势。一位公司官员称，“通过这次开发，我们计划以这次开发为契机，在全球舞台上宣传KCC的材料技术，并通过开发考虑到不同客户特殊工艺的产品来加速市场扩张。”
参考来源：koreaittimes
编译YUXI
