1. 10月10日，国家知识产权局消息，西安交通大学官鑫、宋忠孝、朱晓东 、孟瑜获得了一项名为《一种陶瓷基板的金属化方法及陶瓷覆铜基板》的专利授权，专利号为CN119890050B。该专利发明通过在陶瓷基板与铜种子层之间增设TiN/Ti梯度过渡层，并控制TiN/Ti梯度过渡层的厚度纳米化，实现氮化硅陶瓷基板和金属铜的可靠连接，大幅度提高氮化硅陶瓷覆铜基板的界面结合强度和耐冷热循环特性，以解决现有的氮化硅陶瓷基板的金属化方法仍然存在制备工艺复杂，金属与陶瓷界面应力大导致界面结合差以及多层界面的高热阻会降低散热性能的问题。该成果针对氮化硅陶瓷金属化领域的核心痛点实现技术突破，为高功率电子器件散热难题提供了创新解决方案。

2. 10月9日，成都旭光电子股份有限公司在2025年半年度业绩说明会中披露，其氮化铝陶瓷基板相关业务进展显著，技术与市场拓展均呈良好态势。公司在氮化铝粉体端已实现规模化量产，达成设计产能目标，产品品质及产业规模居国内领先；制品端的高性能氮化铝基板、HTCC及结构器件技术通过认证，同样达到国内领先水平，其中超高热导基板热导率超230W/m·k，高抗弯基板抗弯强度超550MPa，兼具“高热导+高抗弯”核心优势。相关产品已通过数百家海内外企业认证并进入规模化供应阶段。