天域(TYSiC)成立于2009年，是中国第一家从事碳化硅 (SiC) 外延晶片市场营销、研发和制造的民营企业。2010年，天域与中国科学院半导体研究所合作，共同创建了碳化硅研究所，该研究所由该领域最优秀的人才组成。天域是中国第一家碳化硅半导体材料供应链的企业获得汽车质量认证(IATF 16949) 。目前，天域在中国拥有最多的碳化硅外延炉-CVD。 凭着最先进的外延炉设备、外延技术和最先进的测试和表征能力，我们为全球客户提供 n-型 和 p-型 掺杂外延材料、制作肖特基二极管、JFET、BJT、MOSFET，GTO 和 IGBT等。

公司宗旨：促进第三代（宽禁带）半导体产业的发展，成为全球碳化硅外延片的主要生产商之一，以先进的碳化硅外延生长技术为客户提供优良产品和服务。

专业团队

公司研发团队的基础是2011年引进的以王占国院士为首的7名中科院半导体所研究员所组成的广东省创新科研团队。多年来，公司自主培养了一支高水平研发团队，团队成员分别来自于北京大学，香港大学，中国科学技术大学，山东大学，西安电子科技大学，华南理工大学，长春理工大学，暨南大学，武汉工程大学，湘潭大学，广东工业大学等知名院校。

目前，公司通过加强产、学、研合作，建有中科院半导体所-天域碳化硅技术研究院、与厦门大学联合培养硕博研究生、西安交通大学联合培养博士后，设立广东省博士后创新实践基地，吸引和培育高层次人才。依托3个省级工程研究中心（广东省工程研究中心、广东省工程技术研究中心、广东省博士工作站）以及东莞松山湖企业研发机构的技术创新平台，提高研发团队的研发水平。

（1）标准化工作

东莞的天域是SiC外延行业的引领者，制定SiC半导体相关团体标准5项、企业标准4项，目前正在承担2项国家标准的起草工作。

（2）知识产权保护

公司SiC外延的全套核心技术，均为自主研发，作为保护，申请发明专利24件（授权12项）；申请实用新型专利24件（授权13项）。累计发表高水论文27篇（SCI/EI收录论文16篇）。

（3）体系认证

获得ISO9001、ISO14001及TS/IATF-16949汽车质量管理体系认证。

（4）重要技术突破

公司坚持自主科技创新的发展理念，天域半导体在4H-SiC外延材料产业化、器件结构材料生长技术、外延材料检测分析与标准化等方面开展了深入系统的研发工作，突破了n、p型原位掺杂与控制技术、快速外延及厚膜生长技术、实现了4、6英寸4H-SiC外延晶片全系列产品的批量生产。

与此同时，公司也已提前布局国内8英寸SiC外延晶片工艺线的建设，目前正积极突破研发8英寸SiC工艺关键技术。

Ø 国内最早实现6英寸外延晶片量产

Ø 20 kV级以上的厚外延生长实现

Ø 缓变结、陡变结等n/p型界面控制技术

Ø 多层连续外延生长技术