CVD单源前驱体

 纳斯特克纳米科技公司基于在聚碳硅烷和硅化学，提供用于化学气相沉积SiC的化合物以及用于涂层或渗透的相关材料。 我们拥有自己核心技术的CVD单源前驱体经过专门开发，大大简化涂层沉积和致密化过程。

产品特点

     克到多千克数量，交货周期短

     对环境影响小，减少渗透所需的能量，无腐蚀性副产品

      通过雾化器或蒸汽抽吸方式输送

     产品结构特异精细， 零残留物、单源易挥发性前驱体；沉积室无需任何溶剂，非卤化物，无酸性废水

     方便的沉积温度范围（825-950°C），适用于APCVD或低压CVD

     可通过远程蒸发，雾化器或抽气轻松输送，FactStage动力学沉积模型

     玻璃瓶、碳钢或半导体级316不锈钢专用储罐或雾化器包装

应用范围

   ·用于电子领域沉积SiC或SiOC涂层

纤维预成型件浸渍渗透补强

    碳素表面毛孔和裂缝密封

    航天，工业，核能间体保护性涂层。