气压烧结氮化硅

气压氮化硅：
气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。 高的氮气压抑制了氮化硅的高温分解. 由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si 3 N 4 晶粒生长，而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷。因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视。气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、 高强度和好的耐磨性， 可直接制取接近最终形状的各种复杂形状制品， 从而可大幅度降低生产成本和加工费用。

气压烧结氮化硅特点：
其生产工艺接近于硬质合金生产工艺， 适用于大规模生产。

气压氮化硅优缺点：
该工艺是把Si 3 N 4 压坯放在5一12MPa的氮气中在1800一2100℃ 下进行烧结。 施加较高的氮气压的目 的是为了 抑制高温下Si 3 N 4 的分解， 从而提高烧结温度， 进一步促进材料的致密化， 并且有利于选用能形成高耐火度晶间相的助烧剂来提高材料高温性能。 该工艺比常压烧结更易于使材料致密化， 并且可以制备复杂形状的陶瓷部件， 从而弥补了 热压烧结的不足。