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高纯氮化铝粉体（A-2）
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用于制造高性能陶瓷器件；制造集成电路基板,电子器件,光学器件,散热器,高温坩埚。具有纯度高、杂质含量低和烧结活性高的特点。
| 项目 | 单位 | 性能指标值 |
| 碳 | ppm | <400 |
| 氧 | % | <0.85 |
| 比表面积 | m2/g | 2.0~2.4 |
| D50 | μm | 1.3~1.8 |
| 钙 | ppm | <250 |
| 钙 | ppm | <15 |
| 铁 | ppm | <15 |
生产工艺
原料材料
氮化铝(AlN)
粉体制备
-
成型工艺
-
烧结工艺
-
加工工艺
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贸易信息
| 可接受的付款方式 |
