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碳化硅平板膜特点 采用高纯碳化硅粉在高温下烧结而成，是目前亲水性和抗污染能力最，好的膜材料 高负电荷的膜表面，在较宽的pH范围内都能保证膜表面优异的耐污染特性； 理想的操作条件——PAC添加量使pH小于6时。膜表面能保持-25~-30毫伏的负电，使溶解性有机碳与透明外聚合物颗粒难以附着在膜表面； 很容易将水体中带负电荷的物质从膜表面清洗掉，比如：细菌、水藻、MLSS、透明外聚合物颗粒以及油类物质。
碳化硅膜采用重结晶工艺烧制，烧结温度2400℃，在烧结过程中碳化硅骨料之间的烧结颈部是固态→气态→固态的相变过程，开孔率高达45%以上，形成的过滤通道连通性强，再加上碳化硅材料的天生亲水性（接触角仅0.3°），纯水通量高达3200LMH，亲水疏油。 碳化硅膜等电点在pH3附近，膜表面在较宽的pH范围内都能保持负电荷，提高了膜表面的耐污染能力。 优异的化学稳定性，可在极端环境下工作（pH值1~14皆可）；可根据污染因子的特点制定丰富的清洗方案；氧化剂全耐受，包括臭氧和羟基自由基。
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