SiC陶瓷

采用无压烧结，0.3 μm的α-SiC粉末和亚微米级的Al2O3和Y2O3粉末(分别为4.3 wt%和5.7 wt%)形成液相。同时，采用4.5wt %SiC晶须粉末，平均粒径为20 nm作为补强剂。将原料用转速为180转/分的行星磨机研磨混合3小时，然后在100℃下干燥4小时，将样品压成圆柱形片。然后，样品在600℃下以2℃/min的升温速率进行热解;最后，在1900℃下烧结1.5 h。在达到烧结温度之前，所有样品都在1800℃下热处理0.5 h。