线圈铜及不锈钢骨架镀一层绝缘
China
想给线圈铜及不锈钢骨架镀一层绝缘,有400A,超导电压较低,但骨架上会有螺孔。
陶瓷棒加工
China
需要加工陶瓷棒,直径精度控制在1微米,寻求合作
95陶瓷 和4J29的粘接
China
将陶瓷和4J29粘在一起,膨胀系数接近
Supply
Russia
Good afternoonwe want to establish cooperation with your company.Please contact me to discuss the issue of carbide supply.Thank you
二氧化锡
China
可以先买少量块状二氧化锡吗
透明氧化铝陶瓷板
China
能够承受2000摄氏度左右的高温。
8寸碳化硅衬底片
China
8寸碳化硅衬底片
1-3压电复合材料
China
振幅能使手感受到,频率大于20小于1000
碳化硅反射镜
China
1.2m左右的多少钱?
SiC陶瓷
China
采用无压烧结,0.3 μm的α-SiC粉末和亚微米级的Al2O3和Y2O3粉末(分别为4.3 wt%和5.7 wt%)形成液相。同时,采用4.5wt %SiC晶须粉末,平均粒径为20 nm作为补强剂。将原料用转速为180转/分的行星磨机研磨混合3小时,然后在100℃下干燥4小时,将样品压成圆柱形片。然后,样品在600℃下以2℃/min的升温速率进行热解;最后,在1900℃下烧结1.5 h。在达到烧…
SiC陶瓷
China
原始SiC纳米粉的平均粒径为40nm (β-SiC, 99.9%),SiC微米粉的平均粒径为100μm (α-SiC)。采用Al2O3(99.9%,30 nm)和Y2O3(99.99%,50 nm)作为烧结助剂。Al2O3与Y2O3的摩尔比为5:3,SiC纳米粉与烧结助剂的质量比为95:5,再加入微米粉为10 wt.%。将SiC纳米粉和烧结助剂的混合物与SiC微米粉用转速为180转/分的行星磨机研…
SiC陶瓷
China
0.3 μm的α-SiC粉末和亚微米级的Al2O3和Y2O3粉末(分别为4.3 wt%和5.7 wt%)形成液相。同时,采用4.5wt %SiC晶须粉末,平均粒径为20 nm作为补强剂。将原料用转速为180转/分的行星磨机研磨混合3小时,然后在100℃下干燥4小时,将样品压成圆柱形片。然后,样品在600℃下以2℃/min的升温速率进行热解;最后,在1900℃下烧结1.5 h。在达到烧结温度之前,所…
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