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India
we are looking for Creep/RUL, Abrasion resistance tester, Thermal conductivity andHMOR furnace.
Post insulator from Dalian
China
INSULATOR TRANSMISSION & DISTRIBUTION; LINE POST TYPE;34.5 KV NOM; 175 KV DRY; 150 KV WET FLASHOVER;12.5 KN CANTILEVER STRENGTH;POLYMER INSULATO;HORIZONTAL 34.5 KV NOM; FOR OVERHEAD LINE APPLICATI…
1-3压电复合材料
China
振幅能使手感受到，频率大于20小于1000
碳化硅反射镜
China
1.2m左右的多少钱？
SiC陶瓷
China
采用无压烧结，0.3 μm的α-SiC粉末和亚微米级的Al2O3和Y2O3粉末(分别为4.3 wt%和5.7 wt%)形成液相。同时，采用4.5wt %SiC晶须粉末，平均粒径为20 nm作为补强剂。将原料用转速为180转/分的行星磨机研磨混合3小时，然后在100℃下干燥4小时，将样品压成圆柱形片。然后，样品在600℃下以2℃/min的升温速率进行热解;最后，在1900℃下烧结1.5 h。在达到烧…
SiC陶瓷
China
原始SiC纳米粉的平均粒径为40nm (β-SiC, 99.9%)，SiC微米粉的平均粒径为100μm (α-SiC)。采用Al2O3(99.9%，30 nm)和Y2O3(99.99%，50 nm)作为烧结助剂。Al2O3与Y2O3的摩尔比为5:3,SiC纳米粉与烧结助剂的质量比为95:5,再加入微米粉为10 wt.%。将SiC纳米粉和烧结助剂的混合物与SiC微米粉用转速为180转/分的行星磨机研…
SiC陶瓷
China
0.3 μm的α-SiC粉末和亚微米级的Al2O3和Y2O3粉末(分别为4.3 wt%和5.7 wt%)形成液相。同时，采用4.5wt %SiC晶须粉末，平均粒径为20 nm作为补强剂。将原料用转速为180转/分的行星磨机研磨混合3小时，然后在100℃下干燥4小时，将样品压成圆柱形片。然后，样品在600℃下以2℃/min的升温速率进行热解;最后，在1900℃下烧结1.5 h。在达到烧结温度之前，所…
碳化硅陶瓷涂层
China
给石墨制品涂层
化学氧化锆
中国天津
99，9化学氧化锆，
氧化铝陶瓷基板
China
需要96氧化铝基板或996氧化铝基板 一片或两片 用于性能测试
High purity Alumina Balls
India
This is Dinesh Abrol from Delhi, India. We are resellers of vibratory deburring machine and its consumables .we are looking for High purity Alumina Balls for Vibratory Polishing application.Please fee…
A-2
Korea
AlN powder A-2 grade. Quantity : 100Kg
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